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产品介绍
产品应用:
InAs单晶作为衬底材料可以生长InAsSb/InAsPSb，InNAsSb等异质结材料，制作波长2～14μm的红外发光器件。用InAs单晶衬底还可以外延生长AlGaSb超晶格结构材料，制作中红外量子级联激光器。这些红外器件在气体检测、低损耗光纤通信领域有良好的应用前景。此外，InAs单晶具有很高的电子迁移率，是一种制作Hall器件的理想材料。
产品特点:
●晶体采用液封直拉技术（LEC）生长，技术成熟，电学性能稳定
●采用X射线定向仪精确定向，晶向偏差仅±0.5º
●晶片通过化学机械抛光（CMP）技术抛光，表面粗糙度＜0.5nm
●达到“开盒即用”的使用要求
●可根据用户要求，进行特殊规格产品加工
技术参数:
