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产品介绍
产品应用:
InP是一种重要的化合物半导体材料，具有电子极限漂移速度高、耐辐射性好、导热好的优点。适用于制造高频、高速、大功率微波器件和集成电路，在固态发光、微波通信、光纤通信、制导/导航、卫星等民用和军事等领域的应用十分广阔。
产品特点:
●晶体采用垂直温度梯度凝固（VGF）生长，技术成熟，电学性能稳定，晶体位错密度≤500cm-2
●采用X射线定向仪精确定向，晶向偏差仅±0.5º
●晶片通过化学机械抛光（CMP）技术抛光，表面粗糙度＜0.5nm
● 达到“开盒即用”的使用要求
●可根据用户要求，进行特殊规格产品加工
技术参数:
