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产品介绍
产品简介:
高纯、近化学配比、无夹杂的InP多晶是制备高质量InP单晶的前提条件。由于P的磷化铟的平衡蒸气压为27.5个大气压，InP多晶合成技术相当大。公司采用水平梯度凝固（HGF）技术合成InP多晶，纯度高达6N，配比均匀，满足高质量InP单晶生长需求。
产品特点:
1、纯度高：InP多晶制备过程中处于惰性气体高压封闭环境，不接触任何金属及其它气氛，纯度大于6N
2、配比稳定：InP多晶材料水平梯度凝固（HGF）技术制备，合成工艺稳定可控，成分配比稳定。
3、InP多晶载流子浓度小于1x1016cm-3 1x1016cm-3，最大加工质量大7.5Kg，并可根据用户要求进行特殊规格产品加工
技术参数:
