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产品介绍
TSC测试原理：
热激电流技术是研究高阻半导体中缺陷深能级的有效手段。将样品置于低温下，由光照产生的非平衡载流子，去填充陷阱能级．然后在无光照下，以恒定的加热速率将样品加热，则被陷在陷阱能级上的电子或空穴就会受热激发而依次逸出，并在外电路中形成一系列随温度变化的电流峰，即热激电流谱（thermally stimulated current spectroscopy，简称TSC）。根据谱峰的位置和它所包围的面积，即可以求得能级的深度和浓度。广泛用于高阻硅、半绝缘磷化铟、碳化硅和氧化锌等宽禁带半导体材料的研究。
产品特点：
●测量精度高。弱电流测量范围10-17~10-2A，即可用于高阻样品测量
●用超高精度电表，电压量测能力可达nV等级，上限可达100V，极适合用于量测低电阻值材料
●外型精简、操作简单 。独特的液氮容器设计，可确保低温量测之稳定性最佳
●采用自动数据采集，操作界面简洁高效，提高效率
●自行开发样品夹具，可改善探针与接触点电气接触，提高量测可靠度
技术参数：
