1.技术类别:芯片封装、高压功率芯片
2.专利技术:一种陶瓷封装管壳,201920929844.2
3.技术简介:
高可靠性IGBT芯片通常使用传统金属管壳进行封装,管壳内部嵌入一层陶瓷材料用于绝缘电隔离,同时管脚引出从金属管壳侧面,通过绝缘胶进行电隔离,其耐压强度取决于芯片、管脚与管壳的距离,由于封装尺寸的限制,往往并不能满足高压功率芯片的封装需求。高压陶瓷封装管壳,采用Al2O3、SiC等耐高压且热导率高的陶瓷为材质,通过模压成型,然后适当的机加工,之后采用丝网印刷工艺将芯片焊接区域和管壳棱边金属化制作而成,专门针对超高压功率器件的封装设计,设计耐压超过15kV,而且具有比金属管壳更低的成本,且芯片封装工序简单。
图1:陶瓷封装管壳
4.应用领域:
适用于高压、高可靠性晶闸管、FRD、Si IGBT、SiC IGBT等芯片的封装
5.合作方式:
本平台可以转让专利技术,也可以与合作方共同开发及产业化本技术,有意向可以拔打电话:18518552906详情资料可联系获取。