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无支撑GaN衬底技术
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无支撑GaN衬底技术
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产地: 国内
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产品介绍

1.技术简介:

氮化镓(GaN)属于第三代半导体材料,具有高击穿电场、高热导率、高电子密度、高迁移率等特点,因此也被业内誉为固态光源、电力电子、微波射频器件的“核芯”以及光电子和微电子等产业的“新发动机”。GaN衬底及材料在蓝光激光器与高功率及紫外LED等具有不可替代的应用,国外已经大量出口,国内受制于技术限制,只能小批量出货,占到全球产能的10%以下。

图1:左图为成品GaN衬底,右图研磨抛光之前GaN晶片

2.应用领域:

GaN激光器(蓝光激光器、激光电视、激光投影、激光打印机、高密度存储DVD)

GaN LED(激光显示器、汽车照明)

3.市场规模:

2017~2022年期间,GaN晶圆市场的年增长率预计可达23%,到2022年市场规模预计将增长至1.5亿美元。2019年,GaN衬底市场预计达到了约12.5万片晶圆(等效2英寸晶圆);国际市场预测4亿元,其中国内市场只能满足4000万,产能占到国际市场的7%~10%。

图2:2016~2022年GaN衬底市场的增长预测

4.技术特点:

(1)具有独立自主知识产权HVPE系统开发技术

(2)水平反应腔室,有效抑制热对流,降低预沉积,提高材料表面质量,提高表面利用率;

(3)可以有效加长高温区域,提高材料生长质量,减低热翘曲;

(4)独特材料生长工艺,在生长过程中,调整多层气体流动,使水平腔体流场更加多变;

(5)具有独立自主的激光剥离技术,采用多波长、多脉冲相结合激光剥离技术;

5.合作方式:

本平台提供无支撑GaN衬底的成果转化、合作开发的咨询工作,有意向可以拔打电话:18518552906详情资料可联系获取。

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