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锑化物半导体中红外激光芯片
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锑化物半导体中红外激光芯片
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产地: 国内
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产品介绍

1.技术简介:

锑化物半导体激光器是一种基于GaSb材料的激光器,具有窄带隙、能带可调的特点,其发光波长可以覆盖到中远红外,目前主流覆盖到2~3um波段范围,在检测、国防、医疗、科研、激光雷达、激光加工方面具有重要的应用价值。

图1:(左)锑化物半导体激光器晶圆;(中)单管器件;(右)阵列


2.应用领域:

主要应用于城市安全、环保监测、空间遥感、激光通信、激光医疗等方面。

3.市场分析:

根据工信部发布的《中国光电子器件产业技术发展路线图(2018-2022)》中所需的红外单模激光器。大功率激光器面向医疗、工业加工应用,以及固体、光纤激光器泵源集成应用。面向系统应用、功率10-100瓦,约10-100万元/只。面向固体、光纤激光器泵源应用、功率100-500瓦,约100-500万元/只,市场预期5-10亿/年。

单模激光器组件应用于光谱检测,大气污染监测、煤矿安全、石油化工等。德国、加拿大两家公司垄断,且并无国产产品依赖进口,价格昂贵。据工信部发布的《中国光电子器件产业技术发展路线图(2018-2022)》,2020年红外单模激光器需求量为340万只,预计每年市场达到百亿量级。

4.技术特点:

(1)技术平台:拥有自主可控的材料生长、测试表征、器件加工平台,可以实现小试生产。

(2)院士团队:拥有院士、国家杰青项目带头人及工程师团队,产学研配套人才齐全。

(2)成功案例:已经实现小批量供货。

(3)专利情况:多项国家发明专利。

5.合作方式:

本平台提供锑化物半导体中红外激光器成果转化、合作开发的咨询工作,有意向可以拔打电话:18518552906详情资料可联系获取。

成果归属:中国科学院半导体研究所

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