1.技术简介:
SiC、Si、InP、GaAs等材料在应力作用下呈现双折射现象,即垂直入射光沿试件面内两个主应力方向分解成o光和e光,两者通过试件后出现相位差。通过六步相移法对该相位差的全场分布进行精确测量,就可以评估全场的应力大小。
左图为透射式全场红外偏光显微镜 右图为高精度高速扫描式应力检测仪
2.应用领域:
Si,SiC,InP,GaAs等晶片材料、石英,玻璃,蓝宝石及各种红外窗口材料内部应力,MEMS、晶圆键合器件、硅通孔(TSV)器件的内部缺陷及应力
目前检测晶圆内部缺陷的红外显微镜只查到三款:一是美国Hinds红外显微镜;二是瑞士Idonus公司红外显微镜,第三款是日本Olympus BX53M。美国Hinds在国际属于领先地位,目前在国内市场大概为6000万RMB/年,国内市场总体预估市场容量在2亿人民币/年。与我们的自研设备相比,这几款产品的缺点是均不能用于应力的定量测试,且售价较高(前两款都在50万RMB左右)。
4.技术特点:
1)检测方式:支持全场性和高精度扫描方式;
2)应用范围广:不仅可以检测应力梯度大的,也可以检测应力梯度比较小的。
3)检测精度高:最小相位差精度可至0.02度。
4)检测尺寸大:最高可至8英寸的晶片;
5.合作方式:
本平台针对不同应用可以定制应力检测解决方案,也可以投资合作开发国产化应力检测仪器。有意向可以拔打电话:18518552906详情资料可联系获取。
成果归属:北京航空航天大学&米格实验室