1.技术简介:
InAs/GaSb二类超晶格材料具有II型能带结构,从而该材料的红外探测器具有俄歇复合率低、载流子寿命较长、隧穿暗电流较小以及探测波长易调节等优势,成为第三代红外焦平面探测器的理想材料之一。通过分子束外延(MBE)技术生长出高质量的InAs/GaSb二类超晶格材料,同时已成功研制出高性能的覆盖整个红外波段InAs/GaSb二类超晶格红外探测器器件。
图1:全波段红外频率(1~25um)覆盖的二类超晶格红外探测器
2.产品简介
(1)384×288面阵的中波红外焦平面探测器
图2:384×288中波红外焦平面探测器,其噪声等效温差仅为10mK
(2)长/甚长波双色红外探测器
双色(波段)红外探测器能够在复杂环境下,更加精准探测和定位目标,降低误警率。通过对器件结构设计和采用分子束外延(MBE)技术已成功研制出高性能短/中波、长/甚长波等双色InAs/GaSb二类超晶格红外探测器器件。
图3:窄带长/甚长波双色红外探测器
3.合作方式:
技术成熟度高,已经小批量生产,可以委托加工定制或者成果转化
本平台提供该技术的成果转化、合作开发的咨询工作,有意向可以拔打电话:18518552906详情资料可联系获取。
成果归属:中国科学院半导体研究所